Vishay SI7844DP-T1-GE3
Obsolete
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-08-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2015-06-17
LTD Date2015-12-16
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7844DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 6.4A 8-Pin PowerPAK SO T/R
MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 30V, 0.022ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Continuous Drain Current, Id:10000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.4V; Power Dissipation, Pd:1.4W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.4 A
Drain to Source Resistance22 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.5 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Power Dissipation1.4 W
Rds On Max22 mΩ
Rise Time10 ns
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen