Vishay SI7686DP-T1-E3

Single N-Channel 30 V 0.0095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
$ 0.765
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsSI7686DP-T1-E33.0003KTape & Reel
DigiKey
3
SI7686DP-T1-E3CT-ND3.0001Cut Tape
TTISI7686DP-T1-E33.0003KTape & Reel
2d
Newark
2
SI7686DP-T1-E303KTape & Reel
AvnetSI7686DP-T1-E303K
2d

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI7686DP-T1-E3 herunter.

Newark

Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 15 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren

Future Electronics

iiiC

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-07-20
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

VishaySI4162DY-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0079 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Details
VishaySI7272DP-T1-GE3
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO T/R
Details
InfineonIRF7821PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Details
InfineonIRF7821TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 7 Milliohms;ID 13.6A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Details
InfineonIRF8721PBF
IRF8721PBF N-channel MOSFET Transistor,14 A, 30 V, 8-Pin SOIC
Details
onsemiFDS6670AS
N-Channel 30 V 9 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI7686DP-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 30 V 0.0095 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 17.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 17.9A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
5W(Ta),37.9W(Tc) 20V 3V@ 250¦ÌA 26nC@ 10 V 1N 30V 9.5m¦¸@ 13.8A,10V 35A 1.22nF@15V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:35000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.014ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:5W ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Bilder

Newark
Newark
Future Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI7686DPT1E3