Vishay SI7192DP-T1-GE3

SI7192DP - N-Channel 30 V 1.9 mO 104 W TrenchFET GEN III Mosfet - PPAKSO-8
$ 1.65
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Alle Preisnachlässe anzeigen
DistributorSKUMinPkg
VericalSI7192DP-T1-GE32.8004
Arrow ElectronicsSI7192DP-T1-GE32.8001
DigiKey
2
SI7192DP-T1-GE3CT-ND2.1251Cut Tape
Newark
2
SI7192DP-T1-GE303KCut Tape
Future ElectronicsSI7192DP-T1-GE303KTape & Reel

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI7192DP-T1-GE3 herunter.

Newark

Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet7 SeitenVor 17 Jahren
Datasheet13 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet9 SeitenVor 12 Jahren

Farnell

iiiC

Arrow Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-4.84%
Powered bySpectra logo

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-04-10
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

VishaySI7658ADP-T1-GE3
Single N-Channel 30 V 0.0022 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK-SO-8
Details
VishaySIRA00DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 60A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
Details
InfineonIRF8302MTRPBF
Mosfet, N-Ch, 30V, 190A, 150Deg C, 104W Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF8302MTRPBF
Details
VishaySIRA04DP-T1-GE3
MOSFET, 30V, 40A, PPAKSO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Curr
Details
InfineonIRF7832TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.1Milliohms;ID 20A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Details
InfineonIRF9310TRPBF
Single P-Channel 30V 6.8 mOhm 58 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI7192DP-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

SI7192DP - N-Channel 30 V 1.9 mO 104 W TrenchFET GEN III Mosfet - PPAKSO-8
Future Electronics
Trans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
Verical
30V 60A 1.9m´Î@10V20A 104W 2.5V@250Ã×A N Channel PowerPAK SO-8 MOSFETs ROHS
Dasenic
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.00225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
6.25W(Ta),104W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 135nC@ 10 V 1N 30V 1.9m¦¸@ 20A,10V 60A 5.8nF@15V 4.9mm*5.89mm*1.07mm
UnikeyIC
MOSFET, N, PPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Power Dissipation Pd:6.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:60A; Junction Temperature Tj Max:150°C; Package / Case:PowerPAK; Power Dissipation Pd:104W; Power Dissipation Pd:6.25W; Rise Time:10ns; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:30V; Voltage Vgs Max:1V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:2.5V; Voltage Vgs th Min:1V
element14 APAC

Bilder

Farnell
Newark
Newark
Future Electronics
iiiC

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI7192DPT1GE3