Vishay SI7113ADN-T1-GE3
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Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7113ADN-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, P Channel, 100 V, 10.8 A, 0.11 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 100V 10.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
MOSFET Devices; VISHAY; SI7113ADN-T1-GE3; -100 V; -3.8 A; 20 V; 3.5 W
MOSFET -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Power Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 100V, 0.132ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
27.8W(Tc) 20V 2.6V@ 250¦ÌA 16.5nC@ 10 V 1P 100V 132m¦¸@ 3.8A,10V 10.8A 515pF@50V 1212 3.05mm*3.05mm*1.07mm
MOSFET, P-CH, 100V, 10.8A, POWERPAK; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:10.8A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.6V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance132 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.17 mm
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