Vishay SI7108DN-T1-E3
$ 0.995
NRND
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI7108DN-T1-E3 | 3.000 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI7108DN-T1-E3 | 21.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI7108DN-T1-E3 | 21.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | SI7108DN-T1-E3CT-ND | 10.762 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI7108DN-T1-E3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel | 8h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Verwandte Teile
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI7108DN-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 20 V 4.9 mOhms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK 1212-8
Trans MOSFET N-CH 20V 14A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
1.5W(Ta) 16V 2V@ 250¦ÌA 30nC@ 4.5 V 1N 20V 4.9m¦¸@ 22A,10V 14A 1212
N-CH 20-V (D-S) FAST SWITCHING MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 20V, 0.0049ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel MOSFETs 20V 22A 0.0049Ohm
N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK; Tra; N CHANNEL MOSFET, 20V, 22A POWERPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:22A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):4.9mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2V
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:20V; Continuous Drain Current Id:22A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:800Mw; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Vishay SI7108DN-T1-E3.
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.02%
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Technische Spezifikationen
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals5
Technical
Continuous Drain Current (ID)14 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance4.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.8 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max4.9 mΩ
Resistance4.9 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length3.05 mm
Width3.05 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen