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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI5445DC-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 8V 5.2A 8-Pin Chip FET T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.2A I(D), 1-Element, P-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
P-Channel MOSFETs 8V 7.1A 2.5W
OBSOLETE - USE SI5445BDC-T1-E3
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-8V; Continuous Drain Current, Id:5.2A; On Resistance, Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Package/Case:8-1206 ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight84.99187 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.2 A
Drain to Source Resistance35 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-8 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time65 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage8 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.3 W
Rise Time45 ns
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time15 ns