Vishay SI4634DY-T1-GE3
$ 0.873
Production
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4634DY-T1-GE3CT-ND | 2.499 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 5h | ||||||||
| TTI | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 18h | |||||||
| Avnet | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 18h | ||||||||
| TTI Europe | SI4634DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 19h |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Verwandte Teile
InfineonIRF7834PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 3.6Milliohms;ID 19A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
InfineonIRF8113GPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 17.2A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Co
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4634DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-Pin SOIC N T/R
N CHANNEL MOSFET, 30V, 24.5A, SOIC, FULL
2.5W(Ta),5.7W(Tc) 20V 2.6V@ 250¦ÌA 68nC@ 10 V 1N 30V 5.2m¦¸@ 15A,10V 24.5A 3.15nF@15V SOIC-8 1.75mm
Power Field-Effect Transistor, 16.3A I(D), 30V, 0.0052ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET 30V 24.5A 5.7W 5.2mohm @ 10V
FET Input Operational Amplifier
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:24500mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0067ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.6V; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSO
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.3 A
Drain to Source Resistance5.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.15 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5.7 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max5.2 mΩ
Rise Time10 ns
Threshold Voltage2.6 V
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen