Vishay SI4630DY-T1-GE3
$ 1.269
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | SI4630DY-T1-GE3CT-ND | 4.895 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | SI4630DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 20h | ||||||||
| TTI | SI4630DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Tape & Reel | 30m | |||||||
| Newark | SI4630DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | SI4630DY-T1-GE3 | 0 | 2500 | 1d |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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0 Teile verfügbar
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-04-13
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySIRA06DP-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 30V, PPAK-SO8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Cur
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4630DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
3.5W(Ta),7.8W(Tc) 16V 2.2V@ 250¦ÌA 161nC@ 10 V 1N 25V 2.7m¦¸@ 20A,10V 40A 6.67nF@15V SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 25V 27A 8-Pin SOIC N T/R
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 25V, 0.0027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:36000mA; Drain Source Voltage, Vds:25V; On Resistance, Rds(on):0.0032ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:16V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.2V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance2.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance6.67 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7.8 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max2.7 mΩ
Rise Time93 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen