Vishay SI4435DDY-T1-GE3

Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
$ 0.337
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI4435DDY-T1-GE3 herunter.

Newark

Datasheet9 SeitenVor 9 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 10 Jahren

IHS

Farnell

element14 APAC

Future Electronics

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-12.69%

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI4435DDY-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
SnapEDA
3DHerunterladen
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-09-25
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 5 months ago)

Verwandte Teile

InfineonIRF7416PBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
InfineonIRF9333TRPBF
Single P-Channel 30 V 32.5 mOhm 14 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7416TRPBF
MOSFET, Power;P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.02Ohm;ID -10A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V;-55
onsemiSI4435DY
MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC / Trans MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-Pin SOIC T/R
onsemiFDS8884
N-Channel 30 V 23 mOhm 13 nC Surface Mount PowerTrench Mosfet - SOIC-8
Diodes Inc.DMC3021LSD-13
Trans MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-Pin SOIC T/R

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI4435DDY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Si4435DDY Series 30 V 0.024 Ohm Surface Mount P-Channel Mosfet - SOIC-8
MOSFET, P-CH, VDS -30V, VGS +/- 20V, RDS(ON) 19.5MOHM, ID -8.1A, SO-8, PD 2.5W
30V 11.4A 2.5W 24m´Î@10V9.1A 3V@250Ã×A P Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
P CHANNEL MOSFET,-30V,-8.1A, SOIC-8; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:8.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: No

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI4435DDY-T1-GE3.
  • SI4435DDYT1GE3