Vishay SI4126DY-T1-GE3
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-07-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI4126DY-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 30 V 0.00275 Ohm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
30V 39A 7.8W 2.75m´Î@10V15A 2.5V@250Ã×A N Channel SOIC-8_150mil MOSFETs ROHS
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:39000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.0034ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:2.5V; Power Dissipation, Pd:3.5W ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -5.93%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight186.993455 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)26.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance2.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time24 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.405 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation7.8 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.5 W
Rds On Max2.75 mΩ
Resistance2.75 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time53 ns
Turn-On Delay Time36 ns
Dimensions
Height1.55 mm
Length5 mm
Width4 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen