Vishay SI3493BDV-T1-GE3
$ 0.437
NRND
Preis und Lagerbestand
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Future Electronics | SI3493BDV-T1-GE3 | 9.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Onlinecomponents.com | SI3493BDV-T1-GE3 | 4.345 | 100 | Bulk | ||||||||
| DigiKey | SI3493BDV-T1-GE3CT-ND | 3.933 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TTI | SI3493BDV-T1-GE3 | 6.000 | 3K | Tape & Reel | 31m | |||||||
| TME | SI3493BDV-T1-GE3 | 0 | 3K | 14h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-03-29
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishaySI3460DDV-T1-GE3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.9A; 0.028ohm; 2.7W; -55+150 deg.C; SMD; TSOP6
VishaySI3407DV-T1-GE3
Si3407DV Series P-Channel 20 V 0.024 Ohm 4.2 W Surface Mount Mosfet - TSOP-6
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3493BDV-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI3493BDV Series 20 V 0.0275 O Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
MOSFET Devices; VISHAY; SI3493BDV-T1-GE3; 20 V; 7 A; 8 V; 2.08 W
Trans MOSFET P-CH 20V 7A 6-Pin TSOP T/R
2.08W(Ta),2.97W(Tc) 8V 900mV@ 250¦ÌA 43.5nC@ 5 V 1P 20V 27.5m¦¸@ 7A,4.5V 8A 1.805nF@10V TSOP-6 3.1mm*1mm
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 20V, 0.0275ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET, MO-193AA
Small Signal Field-Effect Transistor 8A I(D)
MOSFET 20V 8.0A 2.97W 27.5mohm @ 4.5V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance27.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time84 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.805 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.97 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingDigi-Reel®
Power Dissipation2.08 W
Rds On Max27.5 mΩ
Resistance27.5 mΩ
Rise Time72 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time75 ns
Turn-On Delay Time22 ns
Dimensions
Height1 mm
Length3.05 mm
Width1.65 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen