Vishay SI3440ADV-T1-GE3
$ 0.169
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | SI3440ADV-T1-GE3 | 26.724 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | SI3440ADV-T1-GE3CT-ND | 583 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI3440ADV-T1-GE3 | 9.000 | 61 | |||||||||
| Arrow Electronics | SI3440ADV-T1-GE3 | 9.000 | 1 | |||||||||
| TTI | SI3440ADV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | 1d |
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3-Monats-Trend: +58.52%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
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 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Lieferkette
Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2017-05-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3440ADV-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 2.2 A, 0.316 ohm, TSOP, Surface Mount
Transistor MOSFET N-CH 150V 2.2A 6-Pin TSOP
Avnet Japan
ThunderFET Gen IV Power MOSFET N-Channel Single 150V VDS ±20V VGS 2.2A ID 6-Pin
Power Field-Effect Transistor, 2.2A I(D), 150V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
Mosfet, N-Ch, 150V, 2.2A, 150Deg C, 3.6W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:2.2A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(On):0.316Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SI3440ADV-T1-GE3
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +58.52%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.6 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.6 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time9 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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