Vishay SI3421DV-T1-GE3
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Verwandte Teile
InfineonIRFTS8342TRPBF
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package, TSOP6L, RoHS
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3421DV-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 20 V 0.0192 Ohm 69 nC Surface Mount Power Mosfet - TSOP-6
VISHAY SI3421DV-T1-GE3. MOSFET, P CHANNEL, -30V, -8A, TSOP-6
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -40.31%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance19.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Fall Time13 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.58 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation2 W
Rds On Max19.2 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time7 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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