Vishay SI3417DV-T1-GE3
$ 0.192
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | SI3417DV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | 5h | ||||||||
| Newark | SI3417DV-T1-GE3 | 5.658 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | SI3417DV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | SI3417DV-T1-GE3 | 3.000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SI3417DV-T1-GE3 | 12.000 | 3K | Tape & Reel |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3417DV-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
P-Channel 30 V 29 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.021 ohm, TSOP, Surface Mount
P-Ch MOSFET TSOP-6 Copper 30V 25.2mohm @ 10V
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTSOP
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight19.986414 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance25.2 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time16 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.35 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation4.2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Rds On Max25.2 mΩ
Rise Time35 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time40 ns
Turn-On Delay Time42 ns
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