Vishay SI3127DV-T1-GE3
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3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
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0 Teile verfügbar
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Lieferkette
Country of OriginIsrael
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI3127DV-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Si3127DV Series 60 V 3.5 A Surface Mount P-Channel Mosfet - TSOP-6
Trans MOSFET P-CH -60V -3.5A 6-Pin TSOP T/R
Avnet Japan
MOSFET P-CH 60V 3.5A/13A 6TSOP
场效应管, MOSFET, P沟道, 60V, 5.1A, 150度 C, 4.2W;
MOSFET, P-CH, 60V, 5.1A, 150DEG C, 4.2W;
Small Signal Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
MOSFET, P-CH, 60V, 5.1A, TSOP; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:5.1A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V; Qualification:-RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -100%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance89 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time35 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.1 mm
Datenblätter und Dokumente
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