Vishay SI2318CDS-T1-GE3

N-Channel 40 V 0.042 Ohm 2.1 W Surface Moun Power Mosfet - SOT-23-3
$ 0.182
NRND
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI2318CDS-T1-GE3 herunter.

Newark

Datasheet9 SeitenVor 5 Jahren
Datasheet10 SeitenVor 11 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 11 Jahren

Future Electronics

Farnell

element14 APAC

ODG (Origin Data Global)

Bestandsverlauf

3-Monats-Trend:
-94.46%

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI2318CDS-T1-GE3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Component Search Engine
SymbolFußabdruck
3DHerunterladen
EE Concierge
SymbolFußabdruck
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-11-01
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Diodes Inc.DMN3404L-7
N-Channel 30 V 28 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
Si2318DS Series 40 V 3.9 A 45 mOhm SMT N-Channel MOSFET - SOT-23-3
Diodes Inc.ZXMN3F30FHTA
ZXMN3F30 Series 30 V 0.047 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23
P-Channel 40 V 0.077 Ohm 2.5 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-23-3
Diodes Inc.DMG2307L-7
P Channel 30 V 90 mO 1.36 W 8.2 nC Surface Mount Power MosFet - SOT-23
Single P-Channel Power MOSFET -30V -1.95A 200mΩ

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI2318CDS-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

N-Channel 40 V 0.042 Ohm 2.1 W Surface Moun Power Mosfet - SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 5.6 A, 40 V, 3-PIN SOT-23
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 40V, 0.042ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
MOSFET,N CH,40V,5.6A,DIODE,SOT23; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.035ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:1.25W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; Current Id Max:4.3A; Power Dissipation Pd:1.25W; Voltage Vgs Max:20V

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • Vishay Techno
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI2318CDS-T1-GE3.