Vishay SI1912EDH-T1-E3

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R
Obsolete
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

Datenblätter und Dokumente

Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für Vishay SI1912EDH-T1-E3 herunter.

IHS

Datasheet6 SeitenVor 8 Jahren

Farnell

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

CAD-Modelle

Laden Sie Vishay SI1912EDH-T1-E3 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.

QUELLEeCADmCADDATEIEN
Ultra Librarian
SymbolFußabdruck
Herunterladen
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.

Lieferkette

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

Verwandte Teile

Si1403BDL Series P-Channel 20 V 0.15 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-363
SI1967DH-T1-GE3 DUAL P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 1.1 A, 20 V, 6-PIN SOT-363
Diodes Inc.DMP2200UDW-7
Dual Mosfet, P-Ch, 20V, 0.9A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2200UDW-7
Si1403CDL Series 20 V 140 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SC-70-6
Mosfet, N-Ch, 20V, 1.5A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSD214SNH6327XTSA1
Trans MOSFET N-CH 20V 1.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay SI1912EDH-T1-E3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DUAL N-CH 20V 630MOHM@2.5Vgs ESD PROTECT
MOSFET, NN CH, 20V, SOT363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:570mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:1.28A; Current Id Max:1.28A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):280mohm; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:570mW; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

Aliasnamen für Teilnummern

Dieses Teil ist möglicherweise auch unter diesen alternativen Teilenummern bekannt:

  • SI1912EDH-T1-E3.
  • SI1912EDHT1E3