Vishay SI1427EDH-T1-GE3
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Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN2075UDW-7
Mosfet, N-Ch, 20V, 2.8A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2075UDW-7
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Dual Mosfet, P-Ch, 20V, 0.9A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP2200UDW-7
VishaySI1403CDL-T1-GE3
Si1403CDL Series 20 V 140 mOhm Surface Mount P-Channel MOSFET - SC-70-6
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI1427EDH-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
MOSFET, P CH, W/ESD, 20V, 2A, SOT363; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
VISHAY SI1427EDH-T1-GE3 MOSFET Transistor, P Channel, -2 A, -20 V, 0.05 ohm, -4.5 V, -400 mV
MOSFET, P CH, W/ESD, 20V, 2A, SOT363; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-2A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.05ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Power Dissipation Pd:2.8W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; MSL:-; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance64 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time2.3 µs
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.8 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation1.56 W
Rds On Max64 mΩ
Rise Time400 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-400 mV
Turn-Off Delay Time5.2 µs
Turn-On Delay Time90 ns
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen