Vishay IRLZ24LPBF
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Obsolete
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Verwandte Teile
onsemiFQI13N06LTU
3.75W(Ta),45W(Tc) 2.5V@ 250¦ÌA 6.4nC@ 5V 1N 60V 110m¦¸@ 6.8A,10V 350pF@25V I2PAK,TO-262
InfineonIPI084N06L3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3 / N-Channel 60 V 50A (Tc) 79W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
InfineonIPI040N06N3GXKSA1
OptiMOS™3 Power-Transistor Features for sync. rectification, drives and dc/dc SMPS
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLZ24LPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET, N CH, 60V, 0.1OHM, 17A, TO-262
Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 60V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
NCHAN, SMD-220, 60V, 17A IRLZ24LPBF
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -71.43%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-262-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance100 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time41 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance870 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation60 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Rds On Max100 mΩ
Rise Time110 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen