Vishay IRLR014TR
$ 1.61
Obsolete
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Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 6 months ago)
LTB Date2012-10-31
LTD Date2012-10-31
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTD15P6F6AG
MOSFET Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ohm typ., -10 A STripFET F6 Power
Diodes Inc.DMN6068LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 68 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.ZXMN6A08KTC
Single N-Channel 60 V 0.15 Ohm 3.8 nC 8.94 mW Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
InfineonAUIRLR014N
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
International RectifierAUIRLR014NTRL
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLR014TR, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Power MOSFET | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 60V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.7 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance400 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max200 mΩ
Rise Time110 ns
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time9.3 ns
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeContains Lead
Radiation HardeningNo
RoHSNon-Compliant
Compliance-Erklärungen