Diodes Inc. ZXMN6A08KTC
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Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Verwandte Teile
Diodes Inc.DMN6068LK3-13
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 8.5 A, 68 Milliohms, TO-252 (DPAK), 3 Pins, Surface Mount
Diodes Inc.ZXMP6A16KTC
Trans MOSFET P-CH 60V 8.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / MOSFET P-CH 60V DPAK
onsemiHUFA76409D3S
17A, 60V, 0.071 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs | MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
InfineonIRFR024NTRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.075Ohm;ID 17A;D-Pak (TO-252AA);PD 45W
Beschreibungen
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Mosfet, N-Ch, 60V, 5.36A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXMN6A08KTC
Single N-Channel 60 V 0.15 Ohm 3.8 nC 8.94 mW Silicon SMT Mosfet - TO-252-3
Trans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 5.36A I(D), 60V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
MOSFET, N-CH, 60V, 5.36A, TO-252;
Aliasnamen des Herstellers
Diodes Inc. verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Diodes Inc. ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Bestandsverlauf
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CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.36 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance80 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance459 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation8.94 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max80 mΩ
Rise Time2.1 ns
Turn-Off Delay Time12.3 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen