Vishay IRLI640GPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1994-05-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRLI640GPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 200 V 40 W 66 nC Power Mosfet Flange Mount - TO-220FPAK
Trans MOSFET N-CH 200V 9.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 200V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, 200V, 9.8A, TO-220FP; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 9.8A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 5V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -1.09%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)9.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage200 V
Drain to Source Resistance180 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)200 V
Dual Supply Voltage200 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation40 W
Min Breakdown Voltage200 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation40 W
Rds On Max180 mΩ
Resistance180 mΩ
Rise Time83 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time44 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Voltage200 V
Dimensions
Height9.8 mm
Length10.63 mm
Width4.83 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen