onsemi IRLS640A

Name: onsemi IRLS640A
Brand: onsemi
SKU: IRLS640A

Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, A-FET, 200 V, 9.8 A, 180 mΩ, TO-220F

$ 0.744

EOL

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Distributor		SKU		Min
Arrow Electronics	2	IRLS640A	360	1	0,744	0,744	0,744	0,744	0,744
Verical	2	IRLS640A	360	8		0,744	0,744	0,744	0,744
Flip Electronics		IRLS640A	16.727							7d
Avnet		IRLS640A	0	1042					0,718	5d
Farnell		IRLS640A	766	1	2,672*	1,705*	1,168*	0,811*	0,811*	18h

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren

Farnell

onsemi

Factory Futures

Fairchild Semiconductor

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date1997-01-01

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2022-12-30

LTD Date2023-06-30

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi IRLS640A, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, A-FET, 200 V, 9.8 A, 180 mΩ, TO-220F

onsemi

Trans MOSFET N-CH 200V 9.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube

Verical

Single N-Channel 200 V 0.18 Ohm 56 nC 40 W DMOS Mosfet - TO-220F

Future Electronics

Mosfet, N-Ch, 200V, 9.8A, To-220F; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:9.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(On):0.18Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:5V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power Rohs Compliant: Yes |Onsemi IRLS640A

Newark

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Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight2.27 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.8 A

Current Rating9.8 A

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance180 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time15 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance1.705 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation40 W

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

PackagingTape & Reel (TR)

Power Dissipation40 W

Rds On Max180 mΩ

Rise Time8 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time46 ns

Turn-On Delay Time11 ns

Voltage Rating (DC)200 V

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