Vishay IRFU320PBF

Single N-Channel 400 V 1.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
$ 0.582
Production
HerstellerseiteDatenblatt

Preis und Lagerbestand

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
IRFU320PBF2.0503K
17h
NewarkIRFU320PBF3.0001
Verical
2
IRFU320PBF3.0003K
Arrow ElectronicsIRFU320PBF3.0003K
Future ElectronicsIRFU320PBF94740Tube

Datenblätter und Dokumente

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Newark

Datasheet13 SeitenVor 4 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 14 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 16 Jahren
Datasheet8 SeitenVor 17 Jahren
Datasheet11 SeitenVor 11 Jahren

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

TME

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Alternative Teile

Dieser Teil
Alternative Teile
VishayIRFU320PBF
VishaySIHFU320-GE3
Price @ 1000
$ 0.582
$ 0.372
Stock
270,985
800
Authorized Distributors
6
2
Mount
Through Hole
-
Case/Package
TO-251-3
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
400 V
-
Continuous Drain Current (ID)
3.1 A
3.1 A
Threshold Voltage
4 V
-
Rds On Max
1.8 Ω
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
-
Power Dissipation
-
-
Input Capacitance
350 pF
-

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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Details

Beschreibungen

Beschreibungen von Vishay IRFU320PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Single N-Channel 400 V 1.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)
Future Electronics
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 400V, RDS(ON) 1.8 OHMS, ID 3.1A, TO-251AA, PD 2.5W, VGS+/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.1A I(D), 400V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251
ComSIT Distribution GmbH
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:400V; Continuous Drain Current, Id:3.1A; On Resistance, Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:I-PAK ;RoHS Compliant: Yes
Newark
MOSFET, N, 400V, 3.1A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.1A; Drain Source Voltage Vds:400V; On Resistance Rds(on):1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:42W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:3.1A; Fall Time tf:13ns; Junction to Case Thermal Resistance A:3°C/W; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:42W; Power Dissipation Pd:42W; Pulse Current Idm:12A; Rise Time:14ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:30ns; Turn On Time:10ns; Voltage Vds Typ:400V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
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Bilder

Vishay
DKO Electronshik
RS (Formerly Allied Electronics)
TME
Newark
iiiC
Future Electronics

Aliasnamen des Herstellers

Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric