Vishay IRFR9010PBF
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Stock
175,203
121,833
121,833
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
DPAK
DPAK
DPAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
-
Continuous Drain Current (ID)
5.3 A
5.3 A
5.3 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
500 mΩ
500 mΩ
500 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
25 W
25 W
25 W
Input Capacitance
240 pF
240 pF
240 pF
Verwandte Teile
onsemiNTD3055-150T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.8W 23ns
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFR9010PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans MOSFET P-CH 50V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK / MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK
25W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 9.1nC@ 10 V 1P 50V 500m¦¸@ 2.8A,10V 5.3A 240pF@25V TO-252
Mosfet P-Channel 60V Rohs Compliant: No
Power Field-Effect Transistor, 5.3A I(D), 50V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-50 V
Drain to Source Resistance500 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time35 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance240 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation25 W
Rds On Max500 mΩ
Rise Time47 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time6.1 ns
Dimensions
Height2.39 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen