Vishay IRFPE30PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW23N80K5
N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STMicroelectronicsSTW24N60DM2
N-channel 600 V, 0.175 Ohm typ., 18 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFPE30PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 800 V 3 Ohm 4.1 A 125 W Through Hole Power MOSFET - TO-247AC
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 800V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Vishay NMOS, Vds=800 V, 4.1 A, TO-247AC, , 3
NCHAN, TO-247AC, 800V IRFPE30PBF
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Rds On Max3 Ω
Rise Time33 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time82 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen