Vishay IRFPC50PBF
$ 2.377
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | IRFPC50PBF | 97 | 1 | |||||||||
| Verical | IRFPC50PBF | 485 | 5 | |||||||||
| TME | IRFPC50PBF | 261 | 1 | 10h | ||||||||
| TTI | IRFPC50PBF | 0 | 500 | Tube | 14h | |||||||
| Future Electronics | IRFPC50PBF | 0 | 500 | Tube |
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +2.26%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
CAD-Modelle
Laden Sie Vishay IRFPC50PBF Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | 3D | Herunterladen | |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-07-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
VishayIRFP448PBF
MOSFET, N-CH, 500V, 11A, TO-247; Available until stocks are exhausted Alternative available
STMicroelectronicsSTW19NM60N
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.26 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW18NM60ND
N-Channel 650 V 0.29 Ohm 130 W Flange Mount Power Mosfet - TO-247
STMicroelectronicsSTW18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFPC50PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 600 V 0.6 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
MOSFET, POWER, N-CH, VDSS 600V, RDS(ON) 0.6OHM, ID 11A, TO-247AC, PD 180W, VGS +/-20V
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N, 600V, 11A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):600mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:180W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:11A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.65°C/W; On State Resistance Max:600mohm; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:180W; Power Dissipation Pd:180W; Pulse Current Idm:44A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:600V; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +2.26%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)11 A
Current Rating11 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance600 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time36 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.7 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation180 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation180 W
Rds On Max600 mΩ
Recovery Time830 ns
Resistance600 mΩ
Rise Time37 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time88 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Voltage Rating (DC)600 V
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm