STMicroelectronics STW18NM60ND
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-05-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2016-02-04
LTD Date2016-08-04
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW19NM60N
Automotive-grade N-channel 600 V, 0.26 Ohm, 13 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW15NM60N
±0.4°C Temperature Sensor with Daisy-Chain UART, EEPROM, and Alert Function 8-SOIC -55 to 125
STMicroelectronicsSTW18N60M2
N-channel 600 V, 0.255 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW18NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-Channel 650 V 0.29 Ohm 130 W Flange Mount Power Mosfet - TO-247
N-channel 600 V, 0.25 Ohm typ., 13 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
STW18NM60ND N-channel MOSFET Transistor, 13 A, 600 V, 3-Pin TO-247
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247 / Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
110W(Tc) 25V 5V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1individualNChannel 600V 290m¦¸@ 6.5A,10V 13A 1.03nF@50V TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm(height)
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.29ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance290 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time18 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance1.03 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation130 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max290 mΩ
Rise Time15.5 ns
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time55 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant