Vishay IRFBF30PBF
$ 1.74
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Offizielles DatenblattVor 5 Jahren
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2000-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFBF30PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 900 V 3.7 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 900V 3.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Vishay N-Channel MOSFET, Vds=900V, 3.6A, TO-220AB, TH, 3-Pin
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 900V, 3.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N TO-220 900V 3.6A; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.6A; Drain Source Voltage Vds: 900V; On Resistance Rds(on): 3.7ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power Diss
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -97.76%
CAD-Modelle
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Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.6 A
Drain to Source Resistance3.7 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)900 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time30 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.2 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage900 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation125 W
Rds On Max3.7 Ω
Resistance3.7 Ω
Rise Time25 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen