onsemi FQP4N80

Name: onsemi FQP4N80
Brand: onsemi
SKU: FQP4N80

Power Mosfet, N-channel, Qfet®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, TO-220

$ 0.913

EOL

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics	FQP4N80	230					1,100	0,913	0,814	1d
Farnell	FQP4N80	0	1		1,253*	1,253*	0,695*	0,422*	0,422*	1d
Component Stockers USA	FQP4N80	1.174			0,960	0,960	0,910	0,820	0,820	14h
Win Source	WS-FQP4N80	2.841	35				1,271	1,033	1,033	1h
Worldway Electronics	FQP4N80	11.804	7	Tube		0,259	0,251	0,237	0,237	1d

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IHS

Datasheet8 SeitenVor 12 Jahren

Datasheet0 SeitenVor 0 Jahren

Future Electronics

onsemi

Fairchild Semiconductor

iiiC

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Lieferkette

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2000-11-10

Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusLAST SHIPMENTS (Last Updated: 3 days ago)

Beschreibungen

Beschreibungen von onsemi FQP4N80, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, TO-220

onsemi

Transistor,mosfet,n-Channel,800V V(Br)Dss,3.9A I(D),to-220 Rohs Compliant: Yes |Onsemi FQP4N80

Newark

Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 3.9A I(D), 800V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFET, N TO-220; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 3.9A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 3.6ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 13

Farnell

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

Fairchild Semiconductor

Bilder

Rochester Electronics

Aliasnamen des Herstellers

onsemi verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. onsemi ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-220AB

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Weight1.8 g

Technical

Continuous Drain Current (ID)3.9 A

Current Rating3.9 A

Drain to Source Breakdown Voltage800 V

Drain to Source Resistance3.6 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)800 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time35 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance880 pF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation130 W

Min Breakdown Voltage800 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation130 W

Rds On Max3.6 Ω

Rise Time45 ns

Schedule B8541290080

Turn-Off Delay Time35 ns

Turn-On Delay Time16 ns

Voltage Rating (DC)800 V

Dimensions

Height9.4 mm

Length10.1 mm

Width4.7 mm

Datenblätter und Dokumente

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