Vishay IRFBE20PBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date2008-06-30
LTD Date2008-09-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFBE20PBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 800 V 6.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
800V 1.8A 54W 6.5´Î@10V1.1A 4V@250Ã×A N Channel TO-220(TO-220-3) MOSFETs ROHS
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 800V, 6.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
MOSFET, N, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.8A; Drain Source Voltage Vds:800V; On Resistance Rds(on):6.5ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:54W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:1.8A; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:54W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:800V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Vishay Techno
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.000006 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.8 A
Current Rating1.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage800 V
Drain to Source Resistance6.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time27 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance530 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation54 W
Min Breakdown Voltage800 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation54 W
Rds On Max6.5 Ω
Resistance6.5 Ω
Rise Time17 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time58 ns
Turn-On Delay Time8.2 ns
Voltage Rating (DC)800 V
Dimensions
Height9.01 mm
Length10.41 mm
Width4.7 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen