Vishay IRF9510STRLPBF
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6
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
-
Continuous Drain Current (ID)
4 A
4 A
4 A
Threshold Voltage
-
4 V
4 V
Rds On Max
1.2 Ω
1.2 Ω
1.2 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
3.7 W
-
-
Input Capacitance
200 pF
200 pF
200 pF
Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-09-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
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InfineonIRF530NSTRLPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 90Milliohms;ID 17A;D2Pak;PD 70W;VGS +/-20V
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRF9510STRLPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single P-Channel 100 V 1.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK-3
Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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3.7W(Ta)，43W(Tc) 20V 4V@ 250µA 8.7nC@ 10 V 1individualPChannel 100V 1.2Ω@ 2.4A,10V 4A 200pF@25V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.437803 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance1.2 Ω
Element ConfigurationSingle
Fall Time17 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance200 pF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation43 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max1.2 Ω
Resistance1.2 Ω
Rise Time27 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time15 ns
Turn-On Delay Time10 ns
Dimensions
Height4.83 mm
Length10.41 mm
Width9.65 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen