Vishay SI1069X-T1-GE3
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-28
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2018-09-14
LTD Date2019-03-14
Verwandte Teile
VishaySI1902CDL-T1-GE3
Transistor: 2xN-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; 0.235ohm; 420mW; -55+150 deg.C; SMD; SC70-6
NXP SemiconductorsPMR290XN,115
MOSFET, N CH, 20V, 0.29OHM, 970mA, SOT-416-3; Transistor Polarity:N Channel; Con
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay SI1069X-T1-GE3, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
SI1069X-T1-GE3 P-channel MOSFET Transistor; 0.75 A; 20 V; 6-Pin SC-89
Trans MOSFET P-CH 20V 0.94A 6-Pin SC-89 T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.94A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:940mA; Drain Source Voltage, Vds:20V; On Resistance, Rds(on):0.268ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:12V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.94V; Power Dissipation, Pd:236mW ;RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight32.006612 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)940 mA
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance184 mΩ
Element ConfigurationSingle
Fall Time31 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance308 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation236 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max184 mΩ
Rise Time31 ns
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.7 mm
Width1.2 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen