TT Electronics OPB810L55
$ 1.827
Obsolete
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Offizielles DatenblattVor 8 Jahren
Lieferkette
Country of OriginMexico
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2019-07-09
LTD Date2019-12-31
Beschreibungen
Beschreibungen von TT Electronics OPB810L55, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Photointerrupter Transmissive 9.53mm Phototransistor 4-Pin
SENSOR, OPTICAL SWITCH, WIDE GAP, 9.53MM SLOT, 1.27MM APERTURE, 890NM, 30 MA
Transistor Output Slotted Switch, 1-Channel, 9.53Mm Slot Width |Tt Electronics/optek Technology OPB810L55
Optical Switches Wd Gap Opt Switch
PHOTO INTERRUPTERS - TRANSMISSIVE;
SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT
Aliasnamen des Herstellers
TT Electronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. TT Electronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TT Electronics/BI
- TT Electronics/Optek Technology
- TT Electronics/IRC
- TT ELECTRONICS PLC
- TT Electronics/BI Magnetics
- TT Electronics/Welwyn
- IRC/TT Electronics
- TT Electronics / BI Technologies
- TT Electronics Resistors
- TT Electronics - IoT Solutions
- TT Electronics Welwyn Components
- TT Electronics/Power Partners Inc
- TT ELECTRONICS/IRC [MIL]
- TTELEC
- Optek Technology/TT Electronics
- TT ELECT
- TT ELECTRONICS/IRC (VA)
- BI Technologies / TT Electronics
- TT ELECTRONICS/ROXSPUR MEASUREMENT & CONTROL LTD
- TT ELECTRONICS - POWER PARTNERS
- TT ELECTRONICS GMBH
- TT/IRC
- AB CONNECTORS
- TT ELECTRONICS / AB CONNECTORS
- TT ELECTRONI
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +0.00%
CAD-Modelle
0 Modelle verfügbar
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
MountScrew, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current100 nA
Forward Current50 mA
Max Collector Current30 mA
Max Operating Temperature85 °C
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Circuits1
Number of Elements1
Operating Supply Voltage1.7 V
Output ConfigurationPhototransistor
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Reverse Breakdown Voltage2 V
Schedule B8541408000
Sensing Distance9.525 mm
TouchscreenInfrared (IR)
Wavelength890 nm
Datenblätter und Dokumente
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Offizielles DatenblattVor 8 Jahren