Omron EE-SX1070
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Omron EE-SX1070, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
DIP-4 Photointerrupters - Slot Type - Transistor Output ROHS
OMRON ELECTRONIC COMPONENTS EE-SX1070 Transmissive Photo Interrupter, Phototransistor, Through Hole, 8 mm, 0.5 mm, 50 mA, 4 V
Omron Slot type photoelectric switch, EE-SXseries, 1passageway, 8mmGroove width, Through hole mounting, 17.7 x 6 x 10.7mm
Optical Sensor (Switch) Transmissive / Slotted Interrupter No. of Channels:1; Optocoupler Output Type:Transistor; Input Current:20mA; Output Voltage:30V; Opto Case Style:Slotted; No. of Pins:4; Input Current Max:30mA
PHOTO INTERRUPTER, TRANSMISSIVE, 8MM; Sensor Output: Phototransistor; Sensor Mounting: Through Hole; Gap Width: 8mm; Aperture Width: 0.5mm; Forward Current If: 50mA; Reverse Voltage Vr: 4V; Forward Voltage: 1.2V; Product Range:
Sensor Type = Fork Light Barrier / Optical Sensor Output Type = NPN / Sensing Distance Max. mm = 8 / Termination Type = PCB Pins / Load Current mA = 30 / Response Time us = 4 / Series = EE-SX / Operating Temperature Min. °C = -25 / Operating Temperature Max. °C = 95 / Width mm = 6 / Length mm = 17.7 / Height mm = 10
Aliasnamen des Herstellers
Omron verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Omron ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- Omron Electronics
- Omron Electronics Inc-EMC Div
- Omron Automation and Safety
- Omron Electronic Components
- OMR
- OMROM
- OMRO
- OMRON INDUSTRIAL AUTOMATION
- OMRON STI
- OMRON Corporation
- OMRN
- OMRON CORP
- OMRON INDUSTRIAL
- Omron Automation
- OMRON-IA
- OMRON ELECTRONICS INC
- Omron Automation & Safety
- Omron Electronics LLC
- Omron Electronics Inc-IA Div
- Omron Electronics Inc-ECB Div
- OMRON Electronic Components LLC
- OMRON SAFETY
- OMRON ELECTRONI
- OMRONELEC
- OMRON GMBH
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Contact PlatingZinc
MountPCB, Through Hole
Number of Pins4
Technical
Ambient Temperature Range High95 °C
Collector Emitter Breakdown Voltage30 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)30 V
Dark Current200 nA
Fall Time4 µs
Forward Current50 mA
Forward Voltage1.2 V
Input Current30 mA
Max Collector Current20 mA
Max Input Current30 mA
Max Operating Temperature95 °C
Min Operating Temperature-25 °C
Number of Channels1
Number of Circuits1
Number of Elements1
Output ConfigurationPhototransistor
Output Voltage30 V
PackagingBulk
Power Dissipation100 mW
Response Time4 µs
Reverse Breakdown Voltage4 V
Reverse Voltage4 V
Reverse Voltage (DC)4 V
Rise Time4 µs
Schedule B8541408000
Sensing Distance8 mm
TerminationSolder
Wavelength940 nm
Dimensions
Height10.8 mm
Length17.7 mm
Width500 µm
Datenblätter und Dokumente
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