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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2018-06-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-12-31
LTD Date2024-03-30
Beschreibungen
Beschreibungen von Transphorm TP65H050WS, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Power Field-Effect Transistor
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
650 V 34 A CASCODE GAN FET
Aliasnamen des Herstellers
Transphorm verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Transphorm ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TRANSPHORM INC
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
Technical
Continuous Drain Current (ID)36 A
Drain to Source Breakdown Voltage650 V
Drain to Source Resistance50 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Power Dissipation119 W
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time51 ns
Dimensions
Height25.59 mm
Datenblätter und Dokumente
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