Toshiba RN1305,LF
$ 0.056
Production
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | RN1305,LF | 100 | 100 | |||||||||
| DigiKey | RN1305LFCT-ND | 4.873 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | RN1305,LF | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Mouser | 757-RN1305LF | 1.290 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Win Source | WS-RN1305,LF | 75.500 | 60 | 8h |
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2019-08-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHMDTC143ZUAT106
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, Single NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
ROHMDTC123JUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ToshibaRN1308(TE85L,F)
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC143TUAT106
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Toshiba RN1305,LF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
300mV@ 250¦ÌA,5mA NPN - Pre-Biased 100mW 5V 500nA 50V 50V 100mA SC-70 2mm*1.25mm*900¦Ìm
Bipolar Transistors - Pre-Biased USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
NPN - Pre-Biased 100mW 100mA 50V USM(SC-70-3) Digital Transistors ROHS
Aliasnamen des Herstellers
Toshiba verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Toshiba ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSC
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight28.009329 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
hFE Min80
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation100 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation100 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency250 MHz
Dimensions
Height900 µm
Length2 mm
Width1.25 mm
Datenblätter und Dokumente
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