Preis und Lagerbestand
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Nicht autorisierte Händler
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CAD-Modelle
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Beschreibungen
Beschreibungen von Toshiba GT50J301, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3-Pin TO-3P(LH)
Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
GT50J301 IGBT Module
GT50J301 TOSHIBA TO-3PL
Aliasnamen des Herstellers
Toshiba verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Toshiba ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Technische Spezifikationen
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time300 ns
Max Collector Current50 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation200 W
Datenblätter und Dokumente
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