Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F
$ 0.044
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | 2SC6026MFVGRL3FCT-ND | 17.674 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | 2SC6026MFVGR,L3F | 0 | 8K | 2d | ||||||||
| Mouser | 757-2SC6026MFVGRL3F | 17.540 | 1 | Tape & Reel | ||||||||
| Component Stockers USA | 2SC6026MFVGR,L3F | 45.497 | 6d | |||||||||
| Win Source | WS-2SC6026MFVGR,L3F | 47.270 | 1180 | 9h |
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-03-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Verwandte Teile
ROHM2SC5658T2LS
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHMDTC114TMT2L
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiDTC124XM3T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Beschreibungen
Beschreibungen von Toshiba 2SC6026MFVGR,L3F, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans GP BJT NPN 50V 0.15A 150mW 3-Pin VESM T/R / TRANS NPN 50V 0.15A VESM
250mV@ 10mA,100mA NPN 150mW 5V 100nA 60V 50V 150mA SOT-723-3 1.2mm*800¦Ìm*500¦Ìm
50V 150mW 150mA 200@2mA6V 60MHz 150mV@100mA10mA NPN +150¡Í@(Tj) SOT-723 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT VESM PLN
Aliasnamen des Herstellers
Toshiba verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Toshiba ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TOSH
- TOS
- Toshiba Semiconductor and Storage
- TOSHIB
- SMK
- TOSHIBA CORP
- TOSHI
- TSENG
- TOSHIBA CORPORATION
- Toshiba America Electronic Components
- TSH
- Toshiba Memory America Inc
- MARKTECH OPTOELECTRONICS
- TOSHIBA ELECTRONICS
- Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
- Toshiba America
- TOSHIBA ELECTRONIC COMPONENTS
- Toshiba Semiconductor
- Toshiba Lifestyle Products
- Toshiba America Electronic Components Inc
- TOSHIBA-PB FREE
- TOSHIBA SEMI
- TOSHIBAPb
- TOBHIBA
- TOSHBA
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageSOT-723
Contact PlatingSilver, Tin
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)60 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Continuous Collector Current150 mA
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product60 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current150 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency60 MHz
Dimensions
Height550 µm
Length1.2 mm
Width800 µm
Datenblätter und Dokumente
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