Texas Instruments CSD87381P
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 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
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Stock
724,563
402,679
Authorized Distributors
2
1
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
LGA
LGA
Drain to Source Voltage (Vds)
30 V
30 V
Continuous Drain Current (ID)
15 A
15 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
16.3 mΩ
16.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
8 V
4.5 V
Power Dissipation
4 W
4 W
Input Capacitance
564 pF
564 pF
Lieferkette
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 days ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
Technische Ressourcen
Evaluierungskits und Referenzdesigns für Texas Instruments CSD87381P anzeigen.
Evaluation Kit
Referenz-Designs
Beschreibungen
Beschreibungen von Texas Instruments CSD87381P, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
30-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, 3 mm x 2.5 mm LGA, 15 A 5-PTAB -55 to 150
Mosfet, N-Ch, 30V, 15A, Lga-5 Rohs Compliant: Yes |TEXAS INSTRUMENTS CSD87381P
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 1 (Unlimited) Tape & Reel (TR) 5-LGA Surface Mount 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate -55°C~150°C TJ 16.3m Ω @ 8A, 8V 1.9V @ 250μA MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II
Aliasnamen des Herstellers
Texas Instruments verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Texas Instruments ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- TI
- TEXAS
- TEXAS INST
- TEXAS INSTR
- TEXAS INSTRUMENT
- TEXAS INSTRUMENTS INC
- TEXAS INS
- TEXAS INSTRU
- TEXAS INSTRUMEN
- TI/NS
- TEX
- Texas Instruments (TI)
- TEXASIN
- TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
- TEXINS
- TEXAS INTRUMENTS
- TEAXS
- TEXASI
- TI Texas Instruments
- TEXAS INSTRUM
- TEXAS USD
- TEXAS INSRUMENTS
- TEXAS INSRUMENT
- TEXAS INSTUMENTS
- TI-ROHS
- Texas Instr.
- Texas Instruments Inc.
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageLGA
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins5
Technical
Continuous Drain Current (ID)15 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time2.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance564 pF
Max Junction Temperature (Tj)125 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current40 A
Max Power Dissipation4 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Outputs1
Output Current per Channel15 A
Power Dissipation4 W
Rds On Max16.3 mΩ
Rise Time16.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time16.8 ns
Dimensions
Height480 µm
Length3 mm
Thickness400 µm
Width2.5 mm