STMicroelectronics TIP35CW
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| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
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Stock
123,759
295,799
Authorized Distributors
6
5
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247
-
Polarity
NPN
NPN
Collector Emitter Breakdown Voltage
100 V
100 V
Max Collector Current
25 A
25 A
Transition Frequency
3 MHz
3 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
1.8 V
1.8 V
hFE Min
10
10
Power Dissipation
125 W
125 W
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics TIP35CW, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 25 A, 125 W, TO-247, Through Hole
Transistor GP BJT NPN/PNP 100V 25A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
TIP35CW Series NPN 100 V 25 A Complementary Silicon High Power Transistor-TO-247
100V 125W 25A 10@15A4V 3MHz 4V@25A5A NPN +150¡Í@(Tj) TO-247 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 25A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-247, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Transistor Array, Npn, 100V, 25A, To-247; |Stmicroelectronics TIP35CW
4V@ 5A,25A NPN 125W 5V 1mA 100V 100V 25A TO-247-3 Through hole mounting 20.15mm(height)
TRANSISTOR ARRAY, NPN, 100V, 25A, TO-247; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 100V; Transition Frequency ft: 3MHz; Power Dissipation Pd: 125W; DC Collector Current: 25A; DC Current Gain hFE: 25hFE; Tr
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.8 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Current Rating25 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency3 MHz
Gain Bandwidth Product3 MHz
hFE Min10
Max Collector Current25 A
Max Frequency3 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation125 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency3 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant