STMicroelectronics STW9N150
$ 4.684
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -10.50%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW9N150 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STW9N150 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
 EE Concierge | SymbolFußabdruck | ||
 SnapEDA | Fußabdruck | 3D | Herunterladen |
 Ultra Librarian | SymbolFußabdruck | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-05-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW6N120K3
N-channel 1200 V, 1.95 Ohm, 6 A Zener-protected SuperMESH3(TM) Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW11NK100Z
N-CHANNEL 1000V - 1.1 Ohm - 8.3A TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ PowerMOSFET
STMicroelectronicsSTW12NK95Z
N-CHANNEL 950V - 0.72 Ohm - 10A - TO-247 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW9N150, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Transistor MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
Power MOSFET, N Channel, 1.5 kV, 8 A, 2.5 Ohm, TO-247, 3 Pins, Through Hole
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 1500V, 2.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N CH, 1500V, 8A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 8A; Drain Source Voltage Vds: 1.5kV; On Resistance Rds(on): 1.8ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -10.50%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)8 A
Drain to Source Breakdown Voltage1.5 kV
Drain to Source Resistance2.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)1.5 kV
Element ConfigurationSingle
Fall Time52 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.255 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation320 W
Min Breakdown Voltage1.5 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation320 W
Rds On Max2.5 Ω
Resistance2.5 Ω
Rise Time14.7 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time86 ns
Turn-On Delay Time41 ns
Dimensions
Height24.45 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW9N150 herunter.
Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant