STMicroelectronics STW65N80K5
$ 9.845
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STW65N80K5 | 643 | 1 | |||||||||
| DigiKey | 497-16333-5-ND | 429 | 1 | Tube | ||||||||
| TME | STW65N80K5 | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Future Electronics | STW65N80K5 | 0 | 600 | Tube | ||||||||
| Avnet | STW65N80K5 | 0 | 600 | 6d |
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Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW65N80K5, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 800 V, 0.07 Ohm typ., 46 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
446W(Tc) 30V 5V@ 100¦ÌA 92nC@ 10 V 1N 800V 80m¦¸@ 23A,10V 46A 3.23nF@100V TO-247-3 24.45mm
Trans MOSFET N-CH 800V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
场效应管, MOSFET, N沟道, 800V, 46A, 150度 C, 446W;
MOSFET, N-CH, 800V, 46A, 150DEG C, 446W;
Power Field-Effect Transistor, 46A I(D), 800V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Ptd High Voltage |Stmicroelectronics STW65N80K5
Power MOSFETs, 800V, 46A, TO-247, Tube
STMicroelectronics SCT
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Voltage (Vdss)800 V
Input Capacitance3.23 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation446 W
Min Operating Temperature-55 °C
Rds On Max80 mΩ
Schedule B8541290080
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