STMicroelectronics STW62NM60N
$ 20.21
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-14
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2018-06-29
LTD Date2018-12-29
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW55NM60ND
Mosfet Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
STMicroelectronicsSTW70N60M2
N-channel 600 V, 0.031 Ohm typ., 68 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW60NM50N
N-channel 500 V, 0.035 Ohm typ., 68 A, MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
InfineonIPW60R041P6FKSA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 77.5 A, 0.037 ohm, TO-247, Through Hole
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW62NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.04 Ohm typ., 65 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in a TO-247 package
STW62NM60N N-channel MOSFET Transistor, 65 A, 600 V, 3-Pin TO-247
450W(Tc) 25V 4V@ 250¦ÌA 174nC@ 10 V 1N 600V 49m¦¸@ 32.5A,10V 65A 5.8nF@100V TO-247-3 20.15mm
Trans MOSFET N-CH 600V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
MOSFET N-Ch 600V 0.049 Ohm 55A MDmesh II FET
Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 600V, 0.048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance48 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time210 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance5.8 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation350 W
Rds On Max49 mΩ
Rise Time35 ns
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time30 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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