STMicroelectronics STW56N60M2-4
$ 4.704
Production
Preis und Lagerbestand
Autorisierte Distributoren
Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.03%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW56N60M2-4 herunter.
CAD-Modelle
Laden Sie STMicroelectronics STW56N60M2-4 Symbol-, Footprint- und 3D-STEP-Modelle von unseren zuverlässigen Partnern herunter.
| QUELLE | eCAD | mCAD | DATEIEN |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SymbolFußabdruck | 3D | Herunterladen |
Beim Herunterladen der CAD-Modelle wird die Partner-Website in einem neuen Tab geöffnet.
Durch das Herunterladen von CAD-Modellen von Octopart stimmen Sie unseren Allgemeinen Geschäftsbedingungen und unserer Datenschutzrichtlinie zu.
Lieferkette
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-12-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)
Verwandte Teile
InfineonIPZ60R040C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-4 / N-Channel 600 V 50A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
STMicroelectronicsSTW48N60M2-4
N-channel 600 V, 0.06 Ohm typ., 42 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO247-4 package
InfineonIPZ60R060C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 35A TO247-4 / N-Channel 600 V 35A (Tc) 162W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
onsemiFCH041N65EFL4
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, FRFET®, 650 V, 76 A, 41 mΩ, TO-247 4L
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW56N60M2-4, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.045 Ohm typ., 52 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO247-4 package
Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STW56N60M2-4 N-channel MOSFET Transistor, 52 A, 650 V, 4-Pin TO-247
N-Channel 600 V 55 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Power Mosfet - TO-247-4
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 52 A, 55 Milliohms, TO-247, 4 Pins, Through Hole
MOSFET, N-CH, 600V, 52A, TO-247; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:52A; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V RoHS Compliant: Yes
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: -0.03%
CAD-Modelle
Symbol, Footprint und 3D STEP herunterladen
Alternative Teile
0 Teile verfügbar
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Pins4
Technical
Continuous Drain Current (ID)52 A
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance3.75 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 W
Number of Elements1
Rds On Max55 mΩ
Turn-Off Delay Time119 ns
Turn-On Delay Time18 ns
Dimensions
Height21.1 mm
Length15.9 mm
Width5.1 mm
Datenblätter und Dokumente
Laden Sie Datenblätter und Herstellerdokumentation für STMicroelectronics STW56N60M2-4 herunter.