STMicroelectronics STW55NE10
Obsolete
Preis und Lagerbestand
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Nicht-autorisierte lagerhaltende Distributoren
Nicht autorisierte Händler
Datenblätter und Dokumente
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1999-01-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2004-11-05
LTD Date2005-05-07
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW55NE10, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N - CHANNEL 100V - 0.021ohm - 55A - TO247 STripFET POWER MOSFET
N-CHANNEL 100V-0.021-OHM-55A-TO247 STRIPFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 100V, 0.027ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
MOSFET, N TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 55A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 1
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)55 A
Drain to Source Resistance27 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation200 W
Min Breakdown Voltage100 V
Number of Elements1
Datenblätter und Dokumente
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