STMicroelectronics STW25NM60ND
$ 7.26
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-01-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2019-04-25
LTD Date2019-10-25
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW33N60DM2
N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-247 package
onsemiFCH165N60E
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, Easy Drive, 600 V, 23 A, 165 mΩ, TO-247
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW25NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.13 Ohm typ., 21 A FDmesh(TM) II Power MOSFET (with fast diode) in TO-247 package
Single N-Channel 600 V 0.16 Ohm 29 nC 160 W Silicon Flange Mount Mosfet TO-247-3
STW25NM60ND N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 21 A, 600 V, 3-PIN TO-247
Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N CH, 600V, 21A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 21A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.13ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)21 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance160 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time40 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance2.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation160 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation160 W
Rds On Max160 mΩ
Resistance160 mΩ
Rise Time30 ns
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time50 ns
Turn-On Delay Time60 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant