STMicroelectronics STW24NM60N
$ 2.55
Obsolete
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2021-01-10
LTD Date2021-07-10
Verwandte Teile
STMicroelectronicsSTW26NM60N
N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 20 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247 package
STMicroelectronicsSTW22NM60N
N-channel 600 V, 0.2 Ohm, 16 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-247
STMicroelectronicsSTW23NM50N
N-channel 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-247 MDmesh(TM) II Power MOSFET
Beschreibungen
Beschreibungen von STMicroelectronics STW24NM60N, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
N-channel 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh(TM) II Power MOSFET TO-247
STW24NM60N N-channel MOSFET Transistor, 17 A, 600 V, 3-Pin TO-247
Mosfet, N Ch, 600V, 17A, To-247; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:600V; Continuous Drain Current Id:17A; On Resistance Rds(On):0.168Ohm; Transistor Mounting:Through Hole; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STW24NM60N
Aliasnamen des Herstellers
STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Bestandsverlauf
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)17 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance190 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance1.4 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Power Dissipation125 W
Rds On Max190 mΩ
Resistance190 MΩ
Rise Time16.5 ns
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time73 ns
Turn-On Delay Time11.5 ns
Dimensions
Height20.15 mm
Length15.75 mm
Width5.15 mm
Datenblätter und Dokumente
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Compliance
Umweltklassifizierung
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant