STMicroelectronics STW21NM60ND

Name: STMicroelectronics STW21NM60ND
Brand: STMicroelectronics
SKU: STW21NM60ND

MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes

$ 3.07

Obsolete

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Preis und Lagerbestand

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Distributor		SKU		Min	Pkg
TME	2	STW21NM60ND	0	1		5,028*	4,004*	3,592*	3,592*	3,592*	19h
Farnell		STW21NM60ND	0	1		7,374*	5,752*	4,989*	4,675*	4,675*	1d
Microchip USA		STW21NM60ND	334	600	Tray				2,520	2,520	23h
Win Source		WS-STW21NM60ND	6.000	15				3,050	2,735	2,735	7h
Worldway Electronics		STW21NM60ND	20.988	7	Tube		1,290	1,251	1,185	1,185	6h

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IHS

Datasheet21 SeitenVor 13 Jahren

Factory Futures

Verical

Components Direct

iiiC

Lieferkette

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2007-09-12

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2019-04-25

LTD Date2019-10-25

Beschreibungen

Beschreibungen von STMicroelectronics STW21NM60ND, die von den Distributoren bereitgestellt werden.

MOSFET Transistor, N Channel, 17 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 4 V RoHS Compliant: Yes

Newark

N-channel 600 V, 0.17 Ohm typ., 17 A, FDmesh(TM) II Power MOSFET (whit fast diode) in TO-247 package

STMicroelectronics

N-CHANNEL 600 V, 0.17 OHM, 17 A-TO-247 FDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 17A I(D), 600V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 600V, 17A, TO 247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.17ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Power

Farnell

Bilder

Aliasnamen des Herstellers

STMicroelectronics verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. STMicroelectronics ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:

ST MICRO
STM
SGS
SGS THOMSON
INMOS
STMICROE
STMICROEL
STMICR
ST MIC
ST MICROELECTRONIC
SGS THOMPSON
SESCOSEM
STMICROELECT
ST8
STMICROELECTRON
WAFERSCALE
SGS-ATES
ST MICROELECTRONICS SEMI
ST/SGS
ST MICROELECTRO
SGST
THOMS
STMICROELE
WAFERSCALE INTEGRATION INC
SGS-Thomson Microelectronics
ST Microeletronics

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Technische Spezifikationen

Physical

Case/PackageTO-247

MountThrough Hole

Number of Pins3

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)17 A

Drain to Source Breakdown Voltage600 V

Drain to Source Resistance220 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)600 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time48 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)25 V

Input Capacitance1.8 nF

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation140 W

Min Breakdown Voltage600 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation140 W

Rds On Max220 mΩ

Resistance220 mΩ

Rise Time16 ns

Threshold Voltage4 V

Turn-Off Delay Time70 ns

Turn-On Delay Time18 ns

Dimensions

Height20.15 mm

Length15.75 mm

Width5.15 mm

Datenblätter und Dokumente

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