Vishay IRFPC60LCPBF
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Lieferkette
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1998-06-25
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Beschreibungen
Beschreibungen von Vishay IRFPC60LCPBF, die von den Distributoren bereitgestellt werden.
Single N-Channel 600 V 0.4 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247
POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N TO-247AC 600V 16A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:16A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):400mohm; Power Dissipation Pd:280W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:0.45°C/W; Lead Spacing:5.45mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:280W; Power Dissipation Pd:280W; Pulse Current Idm:64A; Voltage Vds:600V
Aliasnamen des Herstellers
Vishay verfügt über mehrere Marken auf der ganzen Welt, die von Händlern als alternative Namen verwendet werden können. Vishay ist möglicherweise auch unter den folgenden Namen bekannt:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Polytech
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
Bestandsverlauf
3-Monats-Trend: +52.34%
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Technische Spezifikationen
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight38.000013 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)16 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time38 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance3.5 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation280 W
Rds On Max400 mΩ
Resistance400 mΩ
Rise Time57 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time43 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Dimensions
Height20.7 mm
Length15.87 mm
Width5.31 mm
Compliance
Umweltklassifizierung
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Compliance-Erklärungen